固态源分子束外延法生长InGaP/GaAs异质结构的热力学分析
- 出版年：2010
- 作者：曹雪；舒永春；叶志成；皮彪；姚江宏；邢晓东；许京军
- 单位1：南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室
- 出生年：1984
- 学历：Doctor
- 语种：中文
- 作者关键词：热力学；固态源分子束外延；InGaP；GaAs；异质结构
- 起始页：1406
- 总页数：6
- 经费资助：National High Technology Research and Development Program of China (2006AA 032413)；Natural Science Foundation of Tianjin, China(08JCYBJC14800)
- 刊名：人工晶体学报
- 是否内版：否
- 刊频：双月刊
- 创刊时间：1972
- 主管单位：中国建筑材料联合会
- 主办单位：中材人工晶体研究院
- 主编：沈德忠
- 电子信箱：jtxbbjb@126.com
- 网址：www.jtxb.cn
- 卷：39
- 期：6
- 期刊索取号：P311.06105
- 核心期刊：中文核心期刊；《EI》核心期刊
摘要
本文建立了采用分子束外延法制备InGaP/GaAs异质结构的热力学模型，其中考虑了两个重要的因素，由晶格失配引起的内在应力和InP的脱附。所得到的模型与现有实验结果匹配较好。该模型的实验结果表明在InGaP的生长过程中，生长温度，In/Ga束流比及合金组分之间的相互关系，同时也与实验数据相吻合。该模型对于其他气相沉积生长方式也具有一定的适用性。