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An improved linear modeling technique with sensitivity analysis for GaN HEMT
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  • 作者:Danting Luo ; Li Shen and Jianjun Gao
  • 刊名:International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices and Fields
  • 出版年:2017
  • 出版时间:January/February 2017
  • 年:2017
  • 卷:30
  • 期:1
  • 全文大小:1546K
  • ISSN:1099-1204
文摘

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