The influence of Ti doping and annealing on Ce₂Ti₂O₇ flash memory devices

详细信息    查看全文

• 作者：Chyuan Haur Kao^a ; ^b ; ^d ; Su Zhien Chen^a ; ^b ; Yang Luo^c ; Wang Ting Chiu^c ; Shih Wei Chiu^c ; I Chien Chen^c ; Chan-Yu Lin^b ; Hsiang Chen^c ; ^{hchen@ncnu.edu.tw}
• 关键词：Ce2Ti2O7 ; Flash memory ; Ti doping ; Annealing ; Crystallization
• 刊名：Applied Surface Science
• 出版年：2017
• 出版时间：28 February 2017
• 年：2017
• 卷：396
• 期：Complete
• 页码：1673-1677
• 全文大小：1984 K
• 卷排序：396

文摘

Ce2Ti2O7 flash memories have been fabricated. Material quality can be improved by annealing. The memory performance can be enhanced by Ti doping. Ti doping and annealing can reinforce crystallization.