摘要
<正>中国科学院上海微系统与信息技术研究所石墨烯单晶晶圆研究取得新进展。信息功能材料国家重点实验室研究员谢晓明领导的石墨烯研究团队首次在较低温度(750℃)条件下采用化学气相沉积外延成功制备6英寸无褶皱高质量石墨烯单晶晶圆。研究论文于4月4日在Small上在线发表(X. F. Zhang,et al,Epitaxial Growth of 6 in. Single-Crystalline Graphene on a Cu/Ni (111) Film at 750℃ via Chemical Vapor
引文