利用Al_2O_3界面层改善全无机的硅量子点近红外发光二极管的性能

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• 论文作者：赵双易 ; 刘翔凯 ; 顾伟 ; 谭华 ; 黄琨 ; 倪朕伊 ; 梁骁勇 ; 颜聿聪 ; 余学功 ; 李东升 ; 金一政 ; 马向阳 ; 皮孝东 ; 杨德仁
• 年：2017
• 作者机构：浙江大学材料科学与工程学院硅材料国家重点实验室;
• 会议召开时间：2017-05-25
• 会议录名称：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会会议论文集
• 语种：中文
• 分类号：O471.1;TN312.8
• 学会代码：XMJS
• 会议名称：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会
• 会议地点：中国福建厦门
• 主办单位：厦门大学物理科学与技术学院、浙江大学硅材料国家重点实验室
• 学会名称：厦门大学物理科学与技术学院
• 页数：1
• 文件大小：1198k
• 原文格式：D
• 会议级别：全国

摘要

<正>对于量子点发光二极管(QLEDs)而言,利用界面层对其进行性能优化已经成为提升器件效率的最主要的方式之一。1,2,3 选择合适的界面层可以有效地调控载流子的注入以使电子和空穴的注入尽量平衡,也可以降低由于载流子浓度过高而引起的发光淬灭,还能有效降低漏电流。而对于全无机结构二极管,其潜在的高化学稳定性使全无机QLED被寄予厚望。4但是,在QLED中一般所用的载流

引文

1.X.Dai,Y.Jin,et al.Nature,2014,515,96-99.
    2 .W.Gu,X.Pi,et al.IEEE Photonics J.,2017,2,4500610.
    3 .L.Yao,X.Pi,G.Qin,et al.,J.Mater.Chem.C,2016,4,673-677.
    4 .J.Caruge,J.Halpert,V.Wood,et al.Nature Photonics,2008,4,247-250.