跨导增强型折角石墨烯场效应晶体管
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- 论文作者：曹桂铭 ; 刘卫华 ; 曹猛 ; 李昕 ; 王小力
- 年：2016
- 作者机构：西安交通大学电子与信息工程学院;
- 论文关键词：折角石墨烯 ; 场效应晶体管 ; 跨导 ; 场致发射
- 会议召开时间：2016-08-23
- 会议录名称：2016真空电子学分会第二十届学术年会论文集（下）
- 语种：中文
- 分类号：TN386
- 学会代码：ZKDZ
- 会议名称：2016真空电子学分会第二十届学术年会
- 会议地点：中国福建厦门
- 主办单位：中国电子学会真空电子学分会、微波电真空器件国家级重点实验室
- 学会名称：中国电子学会真空电子学分会
- 页数：5
- 文件大小：844k
- 原文格式：D
- 会议级别：全国
摘要
分析研究了悬栅折角石墨烯场效应晶体管(FET)的输运特性,以及折角尖端场致发射特性。相比于悬栅平面石墨烯FET,折角石墨烯FET结构因急剧增大的电场强度可以有效地增强石墨烯沟道中电荷的积累,从而将跨导值提高了20倍。同时,局域增强的电场不可避免地引发场致发射导致漏电流,理论计算得到漏电流J_(FE)随着内导电流J_(DS)增大而增大的非线性关系曲线,其中J_(FE)比J_(DS)低4个数量级。通过折角结构提高悬栅石墨烯FET的栅极控制能力或跨导值是可能并且有效的方式。
引文
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[4]Farmer D B,Golizadeh-Mojarad R,Perebeinos V et al.Nano.Lett.2009 9 388
[5]Farmer D B,Lin Y-M,Afzali-Ardakani A et al.Appl.Phys.Lett.2009 94 213106
[6]Li X,Wang X,Zhang L,Lee S and Dai H.Science.2008 319 1229
[7]Wang X,Ouyang Y,Li X,Wang H,Guo J and Dai H.Phys.Rev.Lett.2008 100 206803
[8]Britnell L et al.Science 2012 335 947
[9]Georgiou T et al.Nat.Nanotechnol.2013 8 100
[10]Zang Y,Zhang F,Huang D,Gao X,Di C A and Zhu D.Nat.Commun.2015 6 6269
[11]Schwartz G,Tee B C,Mei J,Appleton A L,Kim do H,Wang H and Bao Z.Nat.Commun.2013 4 1859
[12]Chauhan J and Guo J.Appl.Phys.Lett.2009 95 023120
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[14]Thiele S and Schwierz F.J.Appl.Phys.2011 110 034506
[15]Barreiro A,Lazzeri M,Moser J,Mauri F and Bachtold A.Phys.Rev.Lett.2009 103 076601
[16]Santandrea S,Giubileo F,Grossi V et al.Appl.Phys.Lett.2011 98 163109
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[20]Guiming Cao,Weihua Liu,Meng Cao et al.J.Phys.D:Appl.Phys.2016 49 275108
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