Reply to “Comment on ‘Metal Semiconductor Field-Effect Transistor with MoS2/Conducting NiOx van der Waals Schottky Interface for Intrinsic High Mobility and Photoswitching Speed’‿/a>

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• 作者：Jin Sung Kim ; Hee Sung Lee ; Seongil Im
• 刊名：ACS Nano
• 出版年：2016
• 出版时间：February 23, 2016
• 年：2016
• 卷：10
• 期：2
• 页码：1716-1717
• 全文大小：158K
• ISSN：1936-086X

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