Ku波段内置模拟预失真器的单片集成功率放大器的设计

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• 英文论文题名：Design of Ku-band monolithic integrated power amplifier with analog predistorter
• 论文作者：陈庆 ; 王磊 ; 方堃 ; 孙博文 ; 杨漫菲
• 英文论文作者：Chen Qing ; Wang Lei ; Fang kun ; Sun Bowen ; Yang Manfei ; School of Electronic Engineering ; University of Electronic Science and Technology of China
• 年：2017
• 作者机构：电子科技大学电子工程学院;
• 论文关键词：单片集成电路 ; 模拟预失真 ; 三阶交调
• 英文论文关键词：MMIC ; Analog Predistortion ; IMD3
• 会议召开时间：2017-05-08
• 会议录名称：2017年全国微波毫米波会议论文集（中册）
• 英文会议录名称：Proceedings of 2017 National Conference on Microwave and Millimeter Waves(NCMMW2017)
• 语种：中文
• 分类号：TN722.75
• 学会代码：ZDWB
• 会议名称：2017年全国微波毫米波会议
• 会议地点：中国浙江杭州
• 主办单位：中国电子学会
• 学会名称：中国电子学会微波分会
• 页数：4
• 文件大小：1360k
• 原文格式：D
• 会议级别：全国

摘要

本文设计了一种内置模拟预失真器的单片集成功率放大器。该功放基于0.25um Ga As p HEMT工艺,采用两级级联共源结构,并在级间加入模拟预失真电路以满足线性化要求;此模拟预失真结构具有电路结构简单,插入损耗低,集成度高的特点。版图仿真结果:工作频段16-18GHz,增益大于25d B,在饱和功率回退3d B附近的三阶交调比最大改善30d B。
This paper presents the design of a monolithic integrated power amplifier with a built-in analog predistorter. The amplifier is based on 0.25 um Ga As p HEMT process, using two cascade cascade cascade cascade, and add the pre-distortion circuit to achieve linearization requirements in Interstage; the pre-distortion structure has the characteristic of simple circuit structure, low insertion loss, integration High. Layout simulation results: the work band 16-18 GHz, gain greater than 25 d B, Third-order inter-modulation distortion( IMD3) can be mitigated over 30 d B in Saturation power is back near 3d B.

引文

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