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1.Thin GaAsSb capping layers for improved performance of InAs/GaAs quantum dot solar cells

作者：A.D. Utrilla^a ; D.F. Reyes^b ; J.M. Llorens^c ; I. Artacho^d ; T. Ben^b ; D. Gonzá ; lez^b ; Ž. Gačević^a ; A. Kurtz^a ; A. Guzman^a ; A. Hierro^a ; J.M. Ulloa^a ; ^{jmulloa@isom.upm.es" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author}

关键词：Solar cells ; Quantum dots ; GaAsSb ; Capping layers ; Type-II ; Carrier collection efficiency

刊名：Solar Energy Materials and Solar Cells

出版年：2017

2.Enhanced performance of multilayer MoS₂ transistor employing a polymer capping layer

作者：Junjie Guo ; Jie Jiang ; ^{jiangjie@csu.edu.cn" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; Zhouming Zheng ; Bingchu Yang ; ^{bingchuyang@csu.edu.cn" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author}

关键词：Two-dimensional materials ; MoS2 ; Polymer ; Capping layer ; Field-effect transistors

刊名：Organic Electronics

出版年：2017

3.Ultranarrow spectral response of InGaAs QDIPs through the optimization of strain-coupled stacks and capping layer composition

作者：Debiprasad Panda ; Akshay Balgarkashi ; Saikalash Shetty ; Hemant Ghadi ; Binita Tongbram ; Subhananda Chakrabarti

关键词：Molecular beam epitaxy ; Photoluminescence ; Spectral response ; Transmission electron microscopy ; Photoluminescence excitation

刊名：Materials Science in Semiconductor Processing

出版年：2017

4.Achievement of normally-off AlGaN/GaN high-electron mobility transistor with p-NiO_x capping layer by sputtering and post-annealing

作者：Shyh-Jer Huang^a ; Cheng-Wei Chou^a ; ^{j2222222229@gmail.com} ; Yan-Kuin Su^a ; ^{yksu@mail.ncku.edu.tw} ; Jyun-Hao Lin^a ; Hsin-Chieh Yu^a ; De-Long Chen^a ; Jian-Long Ruan^b

关键词：HEMTs ; Gallium nitride ; Enhancement mode ; Sputter ; p-NiOx

刊名：Applied Surface Science

出版年：2017

5.Core-level spectra and binding energies of transition metal nitrides by non-destructive x-ray photoelectron spectroscopy through capping layers

作者：G. Greczynski^a ; ^{grzgr@ifm.liu.se} ; D. Primetzhofer^b ; J. Lu^a ; L. Hultman^a

关键词：TiN ; XPS ; Magnetron sputtering ; Binding energy ; VN ; CrN ; NbN ; ZrN ; MoN ; HfN ; TaN ; WN ; AlN ; SiN

刊名：Applied Surface Science

出版年：2017

6.Modulation of spin-orbit torque efficiency by thickness control of heavy metal layers in Co/Pt multilayers

作者：P. Sethi ; S. Krishnia ; S.H. Li ; W.S. Lew ; ^{wensiang@ntu.edu.sg}

关键词：Spin orbit torque ; Spin Hall angle ; Perpendicular magnetic anisotropy

刊名：Journal of Magnetism and Magnetic Materials

出版年：2017

7.Effects of Sb incorporation in GaAsSb-capping layer on the optical properties of InAs/GaAs QDs grown by Molecular Beam Epitaxy

作者：A. Salhi^a ; ^{asalhi@kacst.edu.sa} ; S. Alshaibani^a ; M. Alhamdan^a ; H. Albrithen^a ; ^b ; ^c ; A. Alyamani^a ; M. El-Desouki^c

刊名：Superlattices and Microstructures

出版年：2017

8.Influence of aluminum workfunction and capping dielectric thickness on the performance of local back surface field solar cell using numerical simulation

作者：Ammapet Vijayan Ramachandran^a ; Varadharajaperumal Muthubalan^a ; ^{muthubalan@ece.sastra.edu} ; Ramanathan Bairava Ganesh^b

关键词：Passivation ; Numerical simulation ; Silicon solar cell ; Surface recombination velocity

刊名：Solar Energy

出版年：2017

9.Intercalation synthesis of graphene-capped iron silicide atop Ni(111): Evolution of electronic structure and ferromagnetic ordering

作者：G.S. Grebenyuk^a ; O.Yu. Vilkov^b ; A.G. Rybkin^b ; M.V. Gomoyunova^a ; B.V. Senkovskiy^b ; ^c ; D.Yu. Usachov^b ; D.V. Vyalikh^b ; ^d ; S.L. Molodtsov^e ; ^f ; ^g ; I.I. Pronin^a ; ^g ; ^{Igor.Pronin@mail.ioffe.ru" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author}

关键词：Graphene ; Intercalation ; Iron silicides ; Photoelectron spectroscopy ; Ferromagnetic materials ; Thin films

刊名：Applied Surface Science

出版年：2017

10.A detailed look beneath the surface: Evidence of a surface reconstruction beneath a capping layer

作者：D. Krull^a ; ^{dominique.krull@tu-dortmund.de" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; M.F. Tesch^b ; ¹ ; F. Schö ; nbohm^a ; T. Lü ; hr^a ; C. Keutner^a ; U. Berges^a ; H.-Ch. Mertins^b ; C. Westphal^a

关键词：Internal interface ; Surface beneath a capping layer ; XPD ; T-MOKE ; Semiconductor ; Ferromagnet

刊名：Applied Surface Science

出版年：2016

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