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Elsevier电子期刊(23)

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1.Molecular dynamics simulation of the early stages of self-interstitial clustering in silicon

作者：Luis A. Marqué ; s ; ^{lmarques@ele.uva.es" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; Marí ; a Aboy ; Manuel Ruiz ; Ivá ; n Santos ; Pedro Ló ; pez ; Lourdes Pelaz

关键词：Si ; Annealing ; Atomistic simulation ; Molecular dynamics ; Extended defects

刊名：Materials Science in Semiconductor Processing

出版年：2016

2.Symposium I: Silicon and germanium issues for future CMOS devices

作者：Lourdes Pelaz ; Salvo Mirabella ; Arne Nyl ; sted Larsen

刊名：Thin Solid Films

出版年：2010

3.Evolution of boron-interstitial clusters in preamorphized silicon without the contribution of end-of-range defects

作者：Maria Aboy ; Lourdes Pelaz ; Pedro Ló ; pez ; E. Bruno ; S. Mirabella ; E. Napolitani

关键词：Modeling ; Silicon ; Defects ; Activation ; Diffusion

刊名：Materials Science and Engineering: B

出版年：2008

4.Atomistic modeling of F_nV_m complexes in pre-amorphized Si

作者：Pedro Lopez ; Lourdes Pelaz ; Marí ; a Aboy ; G. Impellizeri ; S. Mirabella ; F. Priolo ; E. Napolitani

关键词：Fluorine ; Complexes ; Boron ; Diffusion

刊名：Materials Science and Engineering: B

出版年：2008

5.Multiscale modeling of radiation damage and annealing in Si

作者：Lourdes Pelaz ; Luis A. Marqués ; Pedro Ló ; pez ; Ivá ; n Santos ; Maria Aboy

关键词：Modeling ; Silicon ; Ion implantation ; Defects

刊名：Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

出版年：2007

6.Molecular dynamics study of amorphous pocket formation in Si at low energies and its application to improve binary collision models

作者：Ivá ; n Santos ; Luis A. Marqués ; Lourdes Pelaz ; Pedro Ló ; pez

关键词：Molecular dynamics ; Amorphous pocket ; Low-energy interactions ; Silicon

刊名：Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

出版年：2007

7.Molecular dynamics study of B₁₈H₂₂ cluster implantation into silicon

作者：Luis A. Marqués ; Lourdes Pelaz ; Ivá ; n Santos

关键词：Si ; B ; Octadecaborane ; Implantation ; Molecular dynamics ; Damage generation

刊名：Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

出版年：2007

8.Boron diffusion and activation in SOI and bulk Si: The role of the buried interface

作者：Maria Aboy ; Lourdes Pelaz ; J. Montserrat ; F.J. Bermú ; dez ; J.J. Hamilton

关键词：Modeling ; Boron ; Activation ; SOI

刊名：Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms

出版年：2007

9.Atomistic modeling of dopant implantation and annealing in Si: damage evolution, dopant diffusion and activation

作者：Pelaz ; Lourdes ; Marqu??s ; Luis A. ; Aboy ; Maria ; L??pez ; Pedro ; Barbolla ; Juan

关键词：61.80.Az ; 82.20.Wt ; 67.80.Mg ; 61.72.Ji ; Modeling ; Silicon ; Defects ; Boron

刊名：Computational Materials Science

出版年：2005

10.Boron activation and redistribution during thermal treatments after solid phase epitaxial regrowth

作者：Maria Aboy ; Lourdes Pelaz ; Juan Barbolla ; R. Duffy and V.C. Venezia

关键词：Modeling ; Silicon ; Defects ; Activation ; Diffusion

刊名：Materials Science and Engineering: B

出版年：2005

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