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1. Modelling of capacitance and threshold voltage for ultrathin normally-off AlGaN/GaN MOSHEMT

作者： R SWAIN ; K JENA ; T R LENKA

关键词：Two ; dimensional electron gas ; density of state ; high electron mobility transistor ; metal oxide semiconductor high electron mobility transistor ; normally ; off ; quantum capacitance.

刊名：Pramana

出版年：2017

2. Tuning crystal polymorphs of a π-extended tetrathiafulvalene-based cruciform molecule towards high-performance organic field-effect transistors

作者： Linlin Feng 冯琳琳 ; Huanli Dong 董焕丽 ; Qingyuan Li 李清源…

关键词：organic semiconductor ; crystal polymorphs ; tetrathiafulvalene ; based cruciform molecule ; field ; effect transistor ; charge carrier mobility

刊名：Science China Materials

出版年：2017

3. Double aperture double-gate vertical high-electron-mobility transistor

作者： Ball Mukund Mani Tripathi ; Shyama Prasad Das

关键词：Single aperture single ; gate vertical HEMTs (SASG ; VHEMT) ; Double aperture double ; gate vertical HEMTs (DADG ; VHEMTs) ; Two dimensional electron gases (2DEG)

刊名：Journal of Computational Electronics

出版年：2017

4. Acceptor-donor-acceptor conjugated oligomers based on diketopyrrolopyrrole and thienoacenes with four, five and six rings for organic thin-film transistors

作者： Qian Du ; Jing Shao ; Yao Gao ; Wei-li Li ; Hong-kun Tian…

关键词：Diketopyrrolopyrrole (DPP) ; Thienoacene ; Conjugated oligomers ; Organic thin ; film transistors (OTFTs)

刊名：Chinese Journal of Polymer Science

出版年：2017

5. Effect of O₂ plasma treatment on density-of-states in a-IGZO thin film transistors

作者： Xingwei Ding ; Fei Huang ; Sheng Li ; Jianhua Zhang…

关键词：thin film transistors ; oxygen plasma treatment ; density ; of ; statesa ; IGZO

刊名：Electronic Materials Letters

出版年：2017

6. Traps and Interface Fixed Charge Effects on a Solution-Processed n-Type Polymeric-Based Organic Field-Effect Transistor

作者： B. Hafsi ; A. Boubaker ; D. Guerin ; S. Lenfant…

关键词：Field ; effect transistor ; Polyera™ N2200 ; self ; assembled monolayer ; drift–diffusion ; traps effect ; fixed charges ; Pool–Frenkel

刊名：Journal of Electronic Materials

出版年：2017

7. Strained Germanium Quantum Well PMOSFETs on SOI with Mobility Enhancement by External Uniaxial Stress

作者： Yan Liu ; Jiebin Niu ; Hongjuan Wang ; Genquan Han ; Chunfu Zhang…

关键词：Germanium ; MOSFET ; Mobility ; Quantum well

刊名：Nanoscale Research Letters

出版年：2017

8. Stability of Indium Gallium Zinc Aluminum Oxide Thin-Film Transistors with Treatment Processes

作者： Yung-Hao Lin ; Ching-Ting Lee

关键词：Indium ; gallium ; zinc ; aluminum ; oxide ; magnetron radio frequency co ; sputtering system ; thin ; film transistors

刊名：Journal of Electronic Materials

出版年：2017

9. Increase the threshold voltage of high voltage GaN transistors by low temperature atomic hydrogen treatment

作者： E. V. Erofeev ; I. V. Fedin ; I. V. Kutkov ; Yu. N. Yuryev

刊名：Semiconductors

出版年：2017

10. The Influence of Hafnium Doping on Density of States in Zinc Oxide Thin-Film Transistors Deposited via Atomic Layer Deposition

作者： Xingwei Ding ; Cunping Qin ; Jiantao Song ; Jianhua Zhang…

刊名：Nanoscale Research Letters

出版年：2017

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