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1.高K栅介质AlGaN/GaN MOS-HEMT器件研究

作者：岳远征

关键词：AlGaN/GaN异质结 ; 高K栅介质 ; 界面态 ; 热处理 ; MOS-HEMT器件

论文级别：博士

学位年度：2009

2.AlGaN/GaN超晶格p型掺杂及输运特性研究

作者：陈军峰

关键词：超晶格 ; p型掺杂 ; 氮化镓 ; 非线性响应 ; 太赫兹

论文级别：博士

学位年度：2010

3.高性能AlGaN/GaN异质结材料的MOCVD生长与特性研究

作者：倪金玉

关键词：金属有机化合物化学气相淀积 ; AlGaN/GaN异质结 ; 高电子迁移率晶体管 ; 二维电子气 ; AlN插入层 ; 应力

论文级别：博士

学位年度：2009

4.氮化镓高电子迁移率晶体管微波特性表征及微波功率放大器研究

作者：陈炽

关键词：氮化镓器件 ; 负载牵引测试 ; 输出功率 ; 功率附加效率 ; 增益

论文级别：博士

学位年度：2011

5.电子元器件低频电噪声测试技术及应用研究

作者：陈文豪

关键词：低频电噪声 ; 噪声测试 ; 机理与模型 ; 性能表征 ; 噪声应用

论文级别：博士

学位年度：2012

6.聚光多结太阳能电池的设计、制备及可靠性研究

作者：宋明辉

关键词：高倍聚光 ; 化合物半导体太阳能电池 ; 结构设计 ; 外延生长 ; 减反膜 ; 可靠性

论文级别：博士

学位年度：2012

7.V波段有源倍频器的设计

作者：孙国骏

关键词：V波段 ; 四倍频器 ; PHEMT ; 微带-波导转换器 ; 微带带通滤波器

论文级别：硕士

学位年度：2004

8.V波段低噪声放大器的设计

作者：刘抒民

关键词：V波段 ; 低噪声放大器 ; 混合-单片

论文级别：硕士

学位年度：2004

9.基于高温AIN成核层的GaN基异质结构材料生长研究

作者：段焕涛

关键词：金属有机化合物化学气相淀积 ; AlGaN/GaN异质结 ; 高电子迁移率晶体管 ; 二维电子气 ; 高温A1N成核层

论文级别：博士

学位年度：2011

10.HVPE法制备GaN体材料的研究

作者：王如

关键词：HVPE ; ZnO缓冲层 ; 射频磁控溅射 ; 穿透位错密度 ; 黄光发射带 ; 方块电阻

论文级别：博士

学位年度：2010

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