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Elsevier电子期刊(901)

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1.Growth and characterization of β-Ga₂O₃ nanowires obtained on not-catalyzed and Au/Pt catalyzed substrates

作者：Davide Calestani^a ; ^{calle@imem.cnr.it} ; Aderemi Babatunde Alabi^b ; Nicola Coppedè ; ^a ; Marco Villani^a ; Laura Lazzarini^a ; Filippo Fabbri^a ; ^c ; Giancarlo Salviati^a ; Andrea Zappettini^a

关键词：A1. Nanostructures ; A3. Chemical vapor deposition processes ; B1. Oxides ; B1. Nanomaterials ; B2. Semiconducting gallium compounds

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2017

2.Oxygen precipitation behavior in heavily arsenic doped silicon crystals

作者：Stephan Haringer^a ; Daniela Gambaro^b ; Maria Porrini^a ; ^{mporrini@sunedisonsemi.it}

关键词：A2. Czochralski method ; B2. Semiconducting silicon ; A1. Characterization ; A1. Volume defects

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2017

3.Behavior of volatile dopants (P, Sb) in Czochralski silicon growth

作者：M. Porrini ; R. Scala ; V.V. Voronkov

关键词：A2. Czochralski method ; B2. Semiconducting silicon ; A1. Doping ; A2. Industrial Crystallization

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2017

4.Characterization of the loss of the dislocation-free growth during Czochralski silicon pulling

作者：Adeline Lanterne^a ; ^{adeline.lanterne@ntnu.no} ; Guilherme Gaspar^a ; Yu Hu^b ; Eivind Ø ; vrelid^c ; Marisa Di Sabatino^a

关键词：A2. Czochralski method ; B2. Semiconducting silicon ; A1. Dislocations ; B3. Solar cells

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2017

5.3D modeling of doping from the atmosphere in floating zone silicon crystal growth

作者：A. Sabanskis ; ^{andrejs.sabanskis@lu.lv} ; K. Surovovs ; J. Virbulis

关键词：A1. Computer simulation ; A1. Convection ; A1. Doping ; A1. Surface processes ; A2. Floating zone technique ; B2. Semiconducting silicon

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2017

6.Formation of graphene/SiC/AlN multilayers synthesized by pulsed laser deposition on Si(110) substrates

作者：S. Narita ; K. Meguro ; T. Takami ; Y. Enta ; H. Nakazawa ; ^{hnaka@hirosaki-u.ac.jp}

关键词：A3. Physical vapor deposition processes ; B1. Nanomaterials ; B2. Semiconducting aluminum compounds ; B2. Semiconducting silicon compounds

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2017

7.Control of heat transfer in continuous-feeding Czochralski-silicon crystal growth with a water-cooled jacket

作者：Wenhan Zhao ; Lijun Liu ; ^{ljliu@mail.xjtu.edu.cn}

关键词：A1. Computer simulation ; A2. Continuous-feeding Czochralski method ; A1. Heat transfer enhancement ; B2. Semiconducting silicon ; A1. Stresses

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2017

8.Mathematical modelling of the feed rod shape in floating zone silicon crystal growth

作者：M. Plāte ; ^{matiss.plate@lu.lv} ; A. Krauze ; J. Virbulis

关键词：A1. Computer simulation ; A1. Heat transfer ; A2. Floating zone technique ; A2. Single crystal growth ; B2. Semiconducting silicon

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2017

9.Precipitation of Cu and Ni in n- and p-type Czochralski-grown silicon characterized by photoluminescence imaging

作者：Chang Sun ; ^{chang.sun@anu.edu.au} ; Hieu T. Nguyen ; Fiacre E. Rougieux ; Daniel Macdonald

关键词：A1. Characterisation ; A1. Photoluminescence imaging ; A1. Metal precipitates ; A1. Point defects ; A1. Doping ; B2. Semiconducting silicon

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2017

10.Non-classical crystallization of silicon thin films during hot wire chemical vapor deposition

作者：Jae-Soo Jung^a ; Sang-Hoon Lee^b ; Da-Seul Kim^a ; Kun-Su Kim^a ; Soon-Won Park^a ; Nong-Moon Hwang^a ; ^c ; ^{nmhwang@snu.ac.kr}

关键词：A1. Crystal morphology ; A1. Growth model ; A2 Single crystal growth ; A3. Chemical vapor deposition processes ; B1. Nanomaterials ; B2. Semiconducting silicon

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2017

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