搜索页_+RF+PECVD

设为首页

收藏本站

网站地图 | English | 公务邮箱

读者指南

学术客户端

NSTL服务站

科技查新

外文资源

Elsevier电子期刊(531)

在“Elsevier电子期刊”中，命中：531条，耗时：0.0459769 秒

在所有数据库中总计命中：576条

1.The effect of thermal annealing on Fe/TiO₂ coatings deposited with the help of RF PECVD method. Part I. Chemical and phase composition

作者：Anna Sobczyk-Guzenda^a ; ^{anna.sobczyk-guzenda@p.lodz.pl} ; Sławomir Owczarek^a ; Damian Batory^a ; Jacek Balcerzak^b ; Maciej Gazicki-Lipman^a ; Hieronim Szymanowski^a

关键词：Fe/TiO2 coatings ; RF PECVD method ; Thermal annealing ; Structure ; Rutile

刊名：Ceramics International

出版年：2017

2.The effect of thermal annealing on Fe/TiO₂ coatings deposited with the help of RF PECVD method. Part II. Optical and photocatalytic properties

作者：Anna Sobczyk-Guzenda ; ^{anna.sobczyk-guzenda@p.lodz.pl} ; Sławomir Owczarek ; Łukasz Kołodziejczyk ; Witold Jakubowski ; Maciej Gazicki-Lipman ; Hieronim Szymanowski

关键词：Fe/TiO2 coatings ; RF PECVD ; Thermal annealing ; Photowettability ; Photocatalysis

刊名：Ceramics International

出版年：2017

3.Metastability of a-SiO_x:H thin films for c-Si surface passivation

作者：L. Serenelli^a ; ^b ; ^{luca.serenelli@enea.it" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; L. Martini^b ; L. Imbimbo^a ; ^b ; R. Asquini^b ; F. Menchini^a ; M. Izzi^a ; M. Tucci^a

关键词：a-SiOx ; PECVD ; Passivation ; Metastability ; Thermal annealing ; FTIR

刊名：Applied Surface Science

出版年：2017

4.Ultra-thin 20 nm-PECVD-Si₃N₄ surface passivation in T-shaped gate InAlAs/InGaAs InP-based HEMTs and its impact on DC and RF performance

作者：Peng Ding ; Chen Chen ; Wuchang Ding ; Feng Yang ; Yongbo Su ; Dahai Wang ; Zhi Jin ; ^{jinzhi@ime.ac.cn" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author}

关键词：InP-based electron mobility transistor ; Threshold voltage shift ; Cutoff frequency ; ft ; Maximum oscillation frequency ; fmax

刊名：Solid State Electronics

出版年：2016

5.Optical properties of oxygen doped diamond-like carbon thin films

作者：Pouria Safaie ; Akbar Eshaghi ; ^{Eshaghi.akbar@gmail.com" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; Saeed Reza Bakhshi

关键词：RF-PECVD ; Diamond like carbon ; Oxygen ; Optical properties

刊名：Journal of Alloys and Compounds

出版年：2016

6.Effect of self-bias on the elemental composition and neutron absorption of boron carbide films deposited by RF plasma enhanced CVD

关键词：Carbides ; Plasma-assisted CVD ; XPS ; FTIR

刊名：Materials Chemistry & Physics

出版年：2016

7.High quality PECVD SiO₂ process for recessed MOS-gate of AlGaN/GaN-on-Si metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors

作者：Jae-Gil Lee^a ; Hyun-Seop Kim^b ; Kwang-Seok Seo^c ; Chun-Hyung Cho^d ; Ho-Young Cha^b ; ^{hcha@hongik.ac.kr" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author}

关键词：AlGaN/GaN ; PECVD ; Silicon dioxide ; Normally-off ; Recessed-gate

刊名：Solid State Electronics

出版年：2016

8.Hydrophobic coating of expanded perlite particles by plasma polymerization

作者：Mehmet Gü ; rsoy^a ; Mustafa Karaman^a ; ^b ; ^{karamanm@selcuk.edu.tr" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author}

关键词：Expanded perlite ; PECVD ; Plasma polymerization ; Hydrophobic ; Coating

刊名：Chemical Engineering Journal

出版年：2016

9.Structural and optical properties of RF-biased PECVD TiO₂ thin films deposited in an O₂/TTIP helicon reactor

作者：D. Li^a ; ^{dyli@yzu.edu.cn" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; A. Goullet^b ; M. Carette^c ; A. Granier^b ; Y. Zhang^a ; J.P. Landesman^d

关键词：Oxides ; Thin films ; Plasma deposition ; Optical properties

刊名：Vacuum

出版年：2016

10.Development of optimized n-μc-Si:H/n-a-Si:H bilayer and its application for improving the performance of single junction a-Si solar cells

作者：Sourav Mandal ; ^{4souravmandal@gmail.com" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; Sukanta Dhar ; Gourab Das ; Sumita Mukhopadhyay ; A.K. Barua

关键词：Microcrystalline silicon ; Rf-PECVD ; Material properties ; Single junction solar cells ; Bilayer

刊名：Solar Energy

出版年：2016

按检索点细分(531)

题名(61)

关键词(63)

文摘(403)

按出版年细分(531)

2027年及以后(6)

2017年(3)

2016年(12)

2015年(2)

2013年(28)

2012年(38)

2011年(31)

2010年(30)

2009年(20)

2008年(48)

2007年(31)

2006年(47)

2005年(37)

2004年(34)

2003年(17)

2002年(20)

2001年(32)

2000年(29)

2000年及以前(66)

常见问题　|　交通位置　|　联系我们　|　OA远程办公

地址：北京市海淀区学院路29号邮编：100083

电话：办公室：(+86 10)66554848；文献借阅、咨询服务、科技查新：66554700