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1.RF SOI CMOS technology on 1^st and 2^nd generation trap-rich high resistivity SOI wafers

作者：B. Kazemi Esfeh^a ; ^{Babak.kazemiesfeh@uclouvain.be} ; S. Makovejev^b ; Didier Basso^c ; Eric Desbonnets^c ; V. Kilchytska^a ; D. Flandre^a ; J.-P. Raskin^a

关键词：High-resistivity (HR) SOI substrate ; Trap-rich high-resistivity silicon ; Enhanced signal integrity silicon-on-insulator (eSI HR-SOI) ; Substrate effective resistivity ; Silicon-on-insulator ; DC and RF performance ; Partially-depleted (PD) SOI MOSFETs ; Crosstalk ; Digital substrate noise

刊名：Solid-State Electronics

出版年：2017

2.Optimized nonlinear SOI slot optical waveguides

作者：Muddassir Iqbal ; ^{scholar547@gmail.com} ; Mubashir Iqbal

关键词：Photonic crystal fiber (PCF) ; Effective area (Aeff) ; Silicon-on-insulator (SOI) ; Slot optical waveguide ; Finite element method (FEM) ; Group velocity dispersion (GVD)

刊名：Optik - International Journal for Light and Electron Optics

出版年：2017

3.Large cross-section rib silicon-on-insulator (SOI) S-bend waveguide

作者：Nurdiani Zamhari^a ; ^c ; ^{znurdiani@feng.unimas.my} ; ^{znurdiani@gmail.com} ; Abang Annuar Ehsan^b ; ^{aaehsan@ukm.edu.my}

关键词：Silicon-on-insulator ; Large cross-section S-bend rib waveguide ; Asymmetrical dimension ; S-bend offset ; Lateral offset

刊名：Optik - International Journal for Light and Electron Optics

出版年：2017

4.An in-depth analysis of temperature effect on DIBL in UTBB FD SOI MOSFETs based on experimental data, numerical simulations and analytical models

作者：A.S.N. Pereira^a ; ^b ; ^{ariannesoares@fei.edu.br} ; G. de Streel^a ; N. Planes^c ; M. Haond^c ; R. Giacomini^b ; D. Flandre^a ; V. Kilchytska^a

关键词：Fully-Depleted Silicon-On-Insulator (FD SOI) ; UTBB ; DIBL ; Temperature dependence

刊名：Solid-State Electronics

出版年：2017

5.Highly efficient vertical fiber interfacing grating coupler with bilayer anti-reflection cladding and backside metal mirror

作者：Zanyun Zhang^a ; ^b ; Beiju Huang^b ; ^{bjhuang@semi.ac.cn} ; Zan Zhang^b ; Chuantong Cheng^b ; Hongwei Liu^a ; Hongqiang Li^a ; Hongda Chen^b

关键词：Silicon-on-insulator (SOI) technology ; Grating coupler ; Vertical fiber ; Anti-reflection cladding ; Backside metal mirror

刊名：Optics & Laser Technology

出版年：2017

6.Photonic-assisted microwave frequency measurement system based on a silicon ORR

作者：Jianfei Jiang ; Haifeng Shao ; Xia Li ; Yan Li ; Tingge Dai ; Gencheng Wang ; Jianyi Yang ; Xiaoqing Jiang ; Hui Yu ; ^{huiyu@zju.edu.cn" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author}

关键词：Integrated microwave photonics ; Micro-ring resonator ; Instantaneous frequency measurement

刊名：Optics Communications

出版年：2017

7.Low frequency noise assessment in n- and p-channel sub-10 nm triple-gate FinFETs: Part II: Measurements and results

作者：D. Boudier^a ; ^{dimitri.boudier@ensicaen.fr} ; B. Cretu^b ; E. Simoen^c ; R. Carin^a ; A. Veloso^c ; N. Collaert^c ; A. Thean^c

关键词：Triple-gate ; FinFET ; Low frequency noise ; 1/f noise ; Generation recombination ; Traps

刊名：Solid-State Electronics

出版年：2017

8.Study of fin tapering effect in nanoscale symmetric dual-k spacer (SDS) hybrid FinFETs

作者：K.P. Pradhan ; ^{k.p.pradhan@ieee.org" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; Priyanka ^{priyankarajputnit@gmail.com" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; P.K. Sahu ^{pksahu@nitrkl.ac.in" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author}

关键词：Hybrid FinFETs ; Dual-k spacer ; Tapered trigate FinFETs ; Fin angle ; Fin height ; Short channel effects (SCEs)

刊名：Materials Science in Semiconductor Processing

出版年：2017

9.A review of special gate coupling effects in long-channel SOI MOSFETs with lightly doped ultra-thin bodies and their compact analytical modeling

作者：T. Rudenko^a ; ^{tamara@lab15.kiev.ua" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; A. Nazarov^a ; V. Kilchytska^b ; D. Flandre^b

关键词：Silicon-on-insulator (SOI) ; Fully-depleted SOI transistor ; Gate coupling ; Ultra-thin-body SOI transistors ; Threshold voltage ; Quantum-mechanical effects

刊名：Solid State Electronics

出版年：2016

10.FinFET and UTBB for RF SOI communication systems

作者：Jean-Pierre Raskin ^{jean-pierre.raskin@uclouvain.be" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author}

关键词：Silicon-on-Insulator (SOI) ; High-resistivity SOI substrate ; Trap-rich SOI substrate ; FinFET ; Ultra Thin Body and BOX (UTBB) ; Analog/RF performance ; Cutoff frequency ; Fringing capacitance ; Self-heating ; Mutiple gate MOSFET

刊名：Solid State Electronics

出版年：2016

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