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2. Terahertz-range spontaneous emission under the optical excitation of donors in uniaxially stressed bulk silicon and SiGe/Si heterostructures
作者:R. Kh. Zhukavin (1)
K. A. Kovalevsky (1)
M. L. Orlov (1)
V. V. Tsyplenkov (1)
N. A. Bekin (1)
A. N. Yablonskiy (1)
P. A. Yunin (1)
S. G. Pavlov (2)
N. V. Abrosimov (3)
H. -W. H眉bers (2) (4)
H. H. Radamson (5)
V. N. Shastin (1) (6)

1. Institute for Physics of Microstructures
; Russian Academy of Sciences ; ul. Ul鈥檡anova 46 ; Nizhni Novgorod ; 603950 ; Russia
2. Institute of Planetary Research
; German Aerospace Center (DLR) ; Rutherfordstr. 2 ; 12489 ; Berlin ; Germany
3. Leibniz Institute for Crystal Growth
; Max-Born-Str. 2 ; 12489 ; Berlin ; Germany
4. Institut f眉r Optik und Atomare Physik
; Technische Universit盲t ; Strasse des 17. Juni 136 PLZ ; 10623 ; Berlin ; Germany
5. Royal Institute of Technology (KTH)
; 16640 ; Kista ; Sweden
6. Lobachevsky State University of Nizhni Novgorod
; pr. Gagarina 23 ; Nizhni Novgorod ; 603950 ; Russia
刊名:Semiconductors
出版年:2015
1
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2015年(2)
2011年(1)

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