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Elsevier电子期刊(833)

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1.Miscut dependent surface evolution in the process of N-polar growth under N-rich condition

作者：Filip Krzyżewski^a ; ^{fkrzy@ifpan.edu.pl} ; Magdalena A. Załuska-Kotur^a ; ^b ; ^{zalum@ifpan.edu.pl} ; Henryk Turski^c ; Marta Sawicka^c ; Czesław Skierbiszewski^c

关键词：A1. Diffusion ; A1. Growth models ; A1. Surface structure ; A3. Molecular beam epitaxy ; B1. Nitrides ; B2. Semiconducting III&ndash ; V materials

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2017

2.Tuning the growth for a selective nucleation of chains of Quantum Dots behaving as single photon emitters

作者：V. Latini^a ; E. Tisbi^a ; E. Placidi^a ; ^b ; ^{ernesto.placidi@ism.cnr.it} ; F. Patella^a ; F. Biccari^c ; M. Gurioli^c ; A. Vinattieri^c ; F. Arciprete^a

关键词：A1. Low dimensional structures ; A3. Molecular Beam Epitaxy ; A3. Selective epitaxy ; B2. Semiconducting III&ndash ; V materials

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2017

3.Monte Carlo simulation of the kinetic effects on GaAs/GaAs(001) MBE growth

作者：Oleg A. Ageev ; Maxim S. Solodovnik ; ^{solodovnikms@sfedu.ru} ; Sergey V. Balakirev ; Ilya A. Mikhaylin ; Mikhail M. Eremenko

关键词：A1. Computer simulation ; A1. Surface processes ; A3. Molecular beam epitaxy ; B2. Semiconducting III&ndash ; V materials

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2017

4.Semipolar AlN and GaN on Si(100): HVPE technology and layer properties

作者：V. Bessolov^a ; A. Kalmykov^a ; E. Konenkova^a ; ^{lena@triat.ioffe.rssi.ru} ; S. Kukushkin^b ; A. Myasoedov^a ; N. Poletaev^a ; S. Rodin^a

关键词：B1. Silicon ; B1. Silicon carbide ; B2. Semiconducting III&ndash ; V materials ; A3. Hydride vapor phase epitaxy

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2017

5.Novel nitrogen/gallium precursor [Ga(bdma)H₂] for MOVPE

作者：E. Sterzer^a ; ^{eduard.sterzer@physik.uni-marburg.de" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; A. Beyer^a ; L. Nattermann^a ; W. Schorn^b ; K. Schlechter^b ; S. Pulz^b ; J. Sundermeyer^b ; W. Stolz^a ; K. Volz^a

关键词：Metalorganic chemical vapor deposition A3 ; Nitrides B1 ; Semiconducting III-V materials B2 ; Semiconducting gallium arsenide B2

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2016

6.Optical and structural properties of GaN epitaxial layers on LiAlO₂ substrates and their correlation with basal-plane stacking faults

作者：E.V. Lutsenko^a ; M.V. Rzheutski^a ; ^{m.rzheutski@ifanbel.bas-net.by" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; V.N. Pavlovskii^a ; G.P. Yablonskii^a ; M. Alanzi^b ; A. Hamidalddin^b ; A. Alyamani^b ; C. Mauder^c ; H. Kalisch^d ; B. Reuters^d ; M. Heuken^c ; ^d ; A. Vescan^d ; G. Naresh-Kumar^e ; C. Trager-Cowan^e

关键词：A1. Defects ; A1. Stresses ; A1. X-ray diffraction ; A3. Metalorganic chemical vapor deposition ; B1. Nitrides ; B2. Semiconducting III&ndash ; V materials

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2016

7.Temperature dependency of the Ga/In distribution in Cu(In,Ga)Se₂ absorbers in high temperature processes

作者：B.J. Mueller^a ; ^b ; ^{bjm.mueller@web.de" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; T. Demes^b ; P.C. Lill^c ; V. Haug^b ; F. Hergert^d ; S. Zweigart^b ; U. Herr^a ; ^{ulrich.herr@uni-ulm.de" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author}

关键词：A1. Diffusion ; A2. Industrial crystallization ; A3. Stacked elemental layer process ; B1. Chalcopyrites ; B2. Semiconducting I&ndash ; III&ndash ; VI2 materials ; B3. Solar cells

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2016

8.III-V site-controlled quantum dots on Si patterned by nanoimprint lithography

作者：S. Hussain^a ; ^b ; A. Pozzato^a ; M. Tormen^a ; V. Zannier^a ; G. Biasiol^a ; ^{biasiol@iom.cnr.it" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author}

关键词：A1. Nanostructures ; A1. Characterization ; A1. Surface structure ; A3. Molecular beam epitaxy ; B2. Semiconducting III&ndash ; V materials ; B2. Semiconducting silicon

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2016

9.TEM study of defect structure of GaN epitaxial films grown on GaN/Al₂O₃ substrates with buried column pattern

作者：M.G. Mynbaeva^a ; ^{mgm@mail.ioffe.ru" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; A.V. Kremleva^a ; D.A. Kirilenko^a ; ^b ; A.A. Sitnikova^a ; A.I. Pechnikov^b ; ^c ; K.D. Mynbaev^a ; ^b ; V.I. Nikolaev^a ; ^c ; V.E. Bougrov^b ; H. Lipsanen^b ; ^d ; A.E. Romanov^a ; ^b

关键词：A1. Defects ; A3. Hydride vapor phase epitaxy ; A3. Metalorganic chemical vapor deposition ; B2. Semiconducting III&ndash ; V materials

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2016

10.Threading dislocation density characterization in III-V photovoltaic materials by electron channeling contrast imaging

作者：Kevin Nay Yaung^a ; ^{kevin.nayyaung@yale.edu" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; Stefan Kirnstoetter^a ; Joseph Faucher^a ; Andy Gerger^b ; Anthony Lochtefeld^b ; Allen Barnett^c ; Minjoo Larry Lee^a ; ^d

关键词：A1. Characterization ; A1. Defects ; A3. Molecular beam epitaxy ; B2. Semiconducting III&ndash ; V materials ; B3. Solar cells

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2016

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