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1. Analytical model for 4H-SiC superjunction drift layer with anisotropic properties for ultrahigh-voltage applications

作者： Alok Naugarhiya ; Pankaj Wakhradkar…

关键词：4H ; SiC ; Superjunction ; VDMOS ; Anisotropy ; Critical electrical field ; Breakdown voltage (BV) ; \(R_\mathrm{ON}A\)

刊名：Journal of Computational Electronics

出版年：2017

2. Optimization of InGaAs/InAlAs Avalanche Photodiodes

作者： Jun Chen ; Zhengyu Zhang ; Min Zhu ; Jintong Xu ; Xiangyang Li

关键词：Avalanche photodiodes (APDs) ; Punchthrough voltage ; Breakdown voltage ; Simulation

刊名：Nanoscale Research Letters

出版年：2017

3. A Microstructural Study of the Damage Sustained by Copper Shield Used in an Underground Medium-Voltage Cable

作者： H. M. Tawancy ; Luai M. Alhems

关键词：Copper shield ; Medium ; voltage cable ; Electron microscopy ; Surface analysis

刊名：Metallography, Microstructure, and Analysis

出版年：2017

4. Electrical performance of static induction transistor with transverse structure

作者： Chunjuan Liu ; Yongshun Wang ; Zaixing Wang ; Chao Chen

关键词：static induction transistor ; surface gate ; transverse structure ; parasitical capacitance ; gate ; source breakdown voltage

刊名：SCIENCE CHINA Information Sciences

出版年：2017

5. Simulation-based performance analysis of an ultra-low specific on-resistance trench SOI LDMOS with a floating vertical field plate

作者： Kun Cheng ; Shengdong Hu ; Yuyu Jiang ; Qi Yuan…

关键词：Silicon on insulator (SOI) ; Breakdown voltage (BV) ; Floating vertical field plate (FVFP) ; Specific on ; resistance (\(R_\mathrm{{on ; sp}}\))

刊名：Journal of Computational Electronics

出版年：2017

6. Increase the threshold voltage of high voltage GaN transistors by low temperature atomic hydrogen treatment

作者： E. V. Erofeev ; I. V. Fedin ; I. V. Kutkov ; Yu. N. Yuryev

刊名：Semiconductors

出版年：2017

7. Exploiting Edge Effect to Control Generation Rate and Breakdown Voltage in Graphene Nanoribbon Field Effect Transistors

作者： Mahdiar Ghadiry ; Harith Ahmad ; Alieh Hivechi ; Fatemeh Tavakoli…

关键词：Graphene ; Photodiode ; Generation rate ; Field effect transistors ; Breakdown voltage ; Edge effect

刊名：Plasmonics

出版年：2016

8. Instruction Fusion for Multiscalar and Many-Core Processors

作者： Yaojie Lu ; Sotirios G. Ziavras

关键词：Instruction fusion ; Superscalar ; Benchmarking ; Many ; core processor

刊名：International Journal of Parallel Programming

出版年：2017

9. Synthesis of Carbon-Coated ZnO Composite and Varistor Properties Study

作者： Wei-Jie Sun ; Jin-Ran Liu ; Da-Chuan Yao ; Yong Chen…

关键词：Core–shell structure ; sol–gel ; electrical properties ; varistor

刊名：Journal of Electronic Materials

出版年：2017

10. A 5–7 GHz current reuse and g_m-boosted common gate low noise amplifier with LC based ESD protection in 32 nm CMOS

作者： Sriharsha Ankathi ; Sriramula Vignan…

关键词：CMOS ; Electrostatic discharge (ESD) ; Current reuse ; Common gate ; gm ; Boosted low noise amplifier (LNA) ; Co ; design

刊名：Analog Integrated Circuits and Signal Processing

出版年：2017

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